還可以采用硅烷還原法作為酸洗硅的進一步提純方法。首先將酸洗過的硅和氫氣反應生成硅烷SlH4,SiH4常溫下是氣態,易于純化,純化⒏H4后,K4S561633F-XL75加熱使其分解,獲得電子級高純度多晶硅。制各出的電子級高純度多晶硅中仍然含有十億分之幾的雜質。集成電路I藝最為關注的雜質是受主雜質硼和施主雜質磷,以及含量最多的碳。硼和磷的存在,降低了硅電阻率,用來制備本征單晶硅時一定要除去;而碳在硅中雖然不是電活性雜質,但它在制備硅單晶時,在硅中呈非均勻分布,會引起顯著的局部應變,使工藝誘生缺陷成核,造成電學性質惡化。電子級純度硅中,硼雜質含量<1ppb,磷雜質含量(1ppb。雜質含量越少,制各的單晶硅錠的純度就越高,晶格才能越完整。

  單晶硅生長

  單晶材料的制備主要有3種方式:第一種是由固態多晶或非晶材料經高溫高壓處理,使其轉變為單晶材料,如用石墨制造人工金剛石;第二種是由過飽和溶液來制各單晶材料,溶質過飽和結晶析出為單晶材料,如蒸發海水得到的晶體氯化鈉顆粒;第=種是熔融體冷凝結晶形成單晶材料。單晶硅的制備就是采取第二種方式。