水汽
發布時間:2017/5/12 21:29:39 訪問次數:576
實驗發現,在干氧氧化的氣氛中,只要存在極少量的水汽,就會對氧化速率產生很大影響。對于OMAPL138BZCE3硅的(10O)晶面,在800℃的溫度下進行干氧氧化時,當氧化劑氣氛中的水汽含量小于1ppm時,氧化70O min,氧化層厚度為300A;在同樣條件下,水汽含量為25ppm時,氧化層厚度為370A。在上述實驗中,為了準確控制水汽含量,氧氣源是液態的。為了防止高溫下水汽通過石英管壁進人氧化爐內,氧化石英管是雙層的,并在兩層中間通有高純氮或氬,這樣可以把通過外層石英管進入到夾層中的水汽及時排除。
實驗發現,在干氧氧化的氣氛中,只要存在極少量的水汽,就會對氧化速率產生很大影響。對于OMAPL138BZCE3硅的(10O)晶面,在800℃的溫度下進行干氧氧化時,當氧化劑氣氛中的水汽含量小于1ppm時,氧化70O min,氧化層厚度為300A;在同樣條件下,水汽含量為25ppm時,氧化層厚度為370A。在上述實驗中,為了準確控制水汽含量,氧氣源是液態的。為了防止高溫下水汽通過石英管壁進人氧化爐內,氧化石英管是雙層的,并在兩層中間通有高純氮或氬,這樣可以把通過外層石英管進入到夾層中的水汽及時排除。
上一篇：鈉等雜質
上一篇：初始氧化階段及薄氧化層制備
相關技術資料- 8-9觸電急救的基本原則是什么?
- 7-23怎樣用工作電壓定相的方法檢查發電機同期回路接線的正確性?
- 7-15鼠籠式感應電動機運行時轉子斷條對其有什么影響?
- 5-18按照淀積溫度分類
- 5-12水汽
公網安備44030402000607
