如果按照淀積溫度分類,有低溫CVD(一般在200~500℃),中溫CⅥⅨ多在500~800℃)和高溫CⅥⅨ多在8O0℃以上,目前已很少使用),不同工藝溫度下即使制備的是同種材料薄膜,其性質、用途也有所不同,如CVD工藝制各的s3、 OMAPL138BZCE3薄膜,低溫工藝軋N亻薄膜質地較疏松、密度低、抗腐蝕性較差,通常淀積在芯片表面作為鈍化膜、保護膜;中溫工藝s3N1薄膜密度高、抗腐蝕性好,主要作為選擇性氧化和各向異性腐蝕的掩蔽膜。

   如果按照化學反應的激活方式進行分類,有熱C、V、等離子增強CXT,、激光誘導oD、微波CVD等。熱Cˇ0是通過加熱襯底激活并維持在襯底上的化學反應來淀積薄膜的方法。N℃`⊙、u℃、D都

是熱C、0;而N(rˇD是采用化學穩定性較差的金屬有機物作為反應劑,在較低溫度,金屬有機物和其他反應劑就能發生化學反應,從而淀積薄膜,實際上也是一種熱激式的C、0。等離子增強C、0是將電能轉化為化學能,激活反應氣體使其等離子化,從而在較低溫度淀積薄膜的方法。同理,激光誘導、微波等C、⊙是將激光能、微波能轉化為化學能進行薄膜淀積的。采用其他能量激活并維持化學反應進行,一方面可以降低工藝溫度,另一方面制各的薄膜又具有某種特有性質,如PECˇV薄膜的臺階覆蓋特性較好,這是等離子化的反應氣體粒子對薄膜生長表面撞擊的結果。

   目前CVD已經在集成電路工藝中得到了廣泛的應用,特別是在絕緣介質薄膜,多晶半導體薄膜等寬范圍材料的薄膜制各方面,它已經成為首選的淀積方法。另外,在超大規模集成電路的金屬化系

統中用到的鎢、硅化物等金屬、金屬硅化物薄膜,也采用了化學氣相淀積I藝制各。這主要是因為CVD工藝制各的薄膜具有較好的性質,如附著性好、薄膜保形覆蓋能力較強等。近幾年發展起來的

亞微米、深亞微米技術中人們所關心的在已有微小接觸孔或有高深寬比結構的襯底表面能很好覆蓋的薄膜的制各,通過CVD工藝這些問題都得到了很好的解決。