在這三個參數中,結深和方塊電阻能方便地測得,而表面濃度的直接測量比較困難,必須采用放射性示蹤技術或其他較麻煩的手段。因此,在生產中,常由測量R□和trl來了解擴散層的雜質分布,并通過調節擴散條件來控制R□和.rl的大小,從而達到控制擴散雜質分布的目的。 R459.125UR而在產品設計或分析中需要知道表面濃度Cs的具體數值時,可通過已知的凸和與:的關系(B=寺窀》先求出平均電導率然后通過查圖表的方法求得。

   表面濃度的大小一般由擴散形式、擴散雜質源、擴散溫度和時間所決定。但對于恒定表面源擴散,表面濃度的數值基本上就是擴散溫度下雜質在硅中的固溶度。也就是說,對于給定雜質源的情況,表面濃度(Cs)由擴散溫度控制。對限定表面源擴散(如兩步擴散中的再分布),表面濃度則由預淀積的雜質總量和擴散時的溫度和時間所決定。但擴散溫度和時間由結深的要求所決定,所以此時的表面濃度(Cs1)主要由預淀積的雜質總量來控制。在結深相同的情況下,預淀積的雜質總量越多,再分布后的表面濃度就越大。但基區硼再分布和發射區磷再分布(再擴散),囚擴散與氧化同時進行,有一部分雜質Q要積聚到所生長的⒊o層中,再分布后擴散層的雜質總量Ql等于預淀積雜質總量Q與Q2之差。因此影響再分布后表面濃度(Cs2)的因素,還有積聚到⒊02層中的雜質Q~。所以,在實際生產中,發現基區硼預淀積雜質總量Q太大(也即R二偏低)日寸,在再分布時應縮短第一次通干氧的時間(即濕氧時間提前),造成較多的雜質聚集到⒊02層中,使再分布后基區的表面濃度Q符合原定的要求。

   在晶體管的設計和擴散層的分析中,常要用到次表面薄層的概念。次表面薄層就是指擴散表面之下,自某個深度J的平面到pn結位置之間的一個薄層。例如,擴散型晶體管的基區就屬于這種情況,如圖522所示是基區薄層電阻Rab與擴散層薄層電阻R′汕示意圖。在曲e處的雜質濃度就稱為次表面濃度。