表面濃度是在半導體產品設計或制造過程中,特性分析和模擬計算時經常要用到的又一個重要參數。如圖521所示為同種分布函數情況下,R=碼和Cs之間的關系。R3602DR-S表面濃度不同,雜質分布可以有很大的差異,從而對產品特性帶來影響。但是,即使表面濃度Cs相同,分布仍然是不確定的,如圖521(a)所示。反之,R□相同,Cs不相同,如圖521(b)所示,分布也是不確定的。根據方塊電阻R□與雜質總量Q的關系,以及雜質總量和結深的表達式,可以知道,在本體雜質濃度不變的情況下,R□、Cs和凸三者之間存在對應的關系,已知其中的兩個,第二個就唯一地確定,從而具有確定的雜質分布。反之亦然,如圖521(c)所示。所以,對于一定的分布形式,只要其中的任意兩個參數給定,雜質分布就唯一地確定,并且第三個參數也自然被確定。可見,表面濃度Cs、結深9l和方塊電阻R□都是描述雜質分布常用的和相關的參數。

   在這三個參數中,結深和方塊電阻能方便地測得,而表面濃度的直接測量比較困難,必須采用放射性示蹤技術或其他較麻煩的手段。因此,在生產中,常由測量R□和trl來了解擴散層的雜質分布,并通過調節擴散條件來控制R□和.rl的大小,從而達到控制擴散雜分布的目的。而在產品設計或分析中需要知道表面濃度Cs的具體數值時,可通過已知的凸和與:的關系(B=寺窀》先求出平均電導率然后通過查圖表的方法求得。