表64給出s中二次缺陷隨離子注人劑量及退火溫度變化的情況。注人溫度都取室溫,能量為40~100keV。M74VHC1GT50DFT1G從表中可得到以下幾個主要結論:桿狀缺陷只在以較低的劑量注人B及Ne時發生;注人劑量增大時,對所有離子都會發生小環(5~10nm),這些小環隨退火溫度升高而轉變為位錯;對 于除B+以外的全部離子,在極高的注入劑量時發生高度不規則結構。所謂高度不規則結構是指在退火前為非晶層,在退火時不發生外延再結晶,而變為由大量微小晶粒所組成的結構。

   注人條件:襯底〈111〉的⒊(n型和p型,5~10Ω・cm);能量4O~100kcV;襯底溫度為室溫。在離子注人后進行熱氧化時還會產生更大的層錯和位錯環。這些缺陷可以用普通的光學顯微鏡觀察到,稱為三次缺陷。三次缺陷有可能使二極管的反向漏電流變得非常大。