退火時雖然通過簡單損傷的復合可大大消除晶格損傷,但與此同時也有可能發生由幾個簡單損傷的再結合而形成復雜的損傷。因此退火后往往會留下所謂的二次缺陷。M74VHC1GT125DF1G二次缺陷可能影響載流子的遷移率、少數載流子壽命及退火后注入原子在晶體中的位置等,因而直接影響半導體器件的特性。曾經有許多人用透射電子顯微鏡對二次缺陷進行了觀察和研究。迄今為止觀察到的二次缺陷有黑點、各種位錯環、桿狀缺陷、層錯及位錯網等。

   當注人材料退火時,在相互可以相遇的空間范圍內空位與間隙原復合,復合后缺陷就消失,兩種類型缺陷相互完全消失是不可能的,因為兩者處于不同空問。因此,短時問退火后,注人材料還有兩種類型點缺陷的殘留缺陷,這兩種點缺陷的分布和濃度是各自不同的。進一步退火使點缺陷聚結在一起形成位于面的本征和非本征的錯位位錯環。進一步退火后,位錯環能生長,能量增加。對于某一個尺寸,位錯環的能量將變成等于由土位錯束縛的無位錯環能量。如果注人材料仍處于飽和點缺陷狀態,完整的環也能因吸收點缺陷而擴大,形成位錯網。通常,注人離子的共價四面體的半徑與主體原子的四面體半徑是不同的。因此,在退火期間,注入雜質占據替位會產生局部應力。因為位錯和雜質應力場的合適的彈性的相互作用,注人原子遷移到退火期間產生的位錯環和位錯上去可以降低系統的整個應力能。