離子注人與熱擴散技術作為兩種主要摻雜方法,有各自的優缺點,本節分別就動力、雜質濃度RT8205LZQW 、結深、橫向擴散、均勻性、工作溫度、晶格損傷及應用等方面對兩種摻雜技術進行比較,并進而介紹幾種適應VLSI發展要求的摻雜新技術。表66給出了離子注人與熱擴散技術比較。

   隨著VLSI技術的發展,芯片的特征尺寸越來越小,這兩種摻雜技術已經成為影響電路集成度提高的主要因素。在45nm技術節點,離子注人摻雜后的超淺結的結深將達到9.5nm,為了進一步減小超淺結的結深,按照傳統方法必須減小離子注人能量,向超低能量(200~500eV)離子注入方向發展。同時還要減小其能量污染效應,提高生產效率。但現有高電流低能離子注入機很難在低能量污

染和高生產效率的前提下滿足要求。研究發現,采用較高分子量摻雜材料(如Bl。H14或B1:H22)代替B進行等效摻雜時,離子束電流和注入能量都會大大增加。同時還具有其他一些優點,如減輕隧穿效

應,對摻雜表面進行無定形化處理等。因此,用較高分子量摻雜材料進行等效離子摻雜是滿足45nm及以下工藝要求的有效方法。

    曾經有一些研究者采用了傳統的離子束注人技術制備超淺結,通過減小注人能量、降低熱處理時間和溫度等來實現,如低能離子注入(I'E)、快速熱退火(K隊)、預非晶化注人(PAI)等。但從根本上講,這些技術制各超淺結會帶來幾個問題:瞬態增強擴散的限制、激活程度的要求、深能級中心缺陷等。較有希望的新興超淺結摻雜技術包括等離子體浸沒摻雜(Plasll△a Immer蚯on Ion Ilnplallta0on Doollg,PIID)、投射式氣體浸人激光摻雜(Pr向ed%s hmeAollI記sel hplllg,PCFII~D)、快速氣相摻雜(№odVaporplla∝Doplllg,R`0)及離子淋浴摻雜(Iol・⒏owˉer I∞mllg,I(D)。