Qn通常位于界面上,電荷密度為10"cm2左右,是由能量處于硅禁帶中、可以與價S9S08DZ60F2MLH帶或導帶方便交換電荷的那些陷阱能級或電荷狀態引起的。那些陷能級可以是施主或受主,也可以是少數載流子的產生和復合中心,包括起源于~Sl/SiO2界面結構缺陷(如硅表面的懸掛鍵)、氧化感生缺陷及金屬雜質和輻射等因素引起的其他缺陷。

    通常可通過氧化后在低溫、惰性氣體中退火來降低Qn的濃度。在(100)的硅上進行干氧氧化后,每單位能量L的界面陷阱密度q的值是10"~10⒓/(cm2・eV),而且會隨著氧化溫度的升高而減小。而金屬化后的退火可以把D“的值降低到(3~5)×101・/(cm2・eV)。

   氧化層陷阱電荷

   qt位于s02中和s/Si02界面附近,這種陷阱俘獲電子或空穴后分別帶負電或正電,電荷密度在10Ⅱ~10"cm2之間。這是由氧化層內的雜質或不飽和鍵捕捉到加工過程中產生的電子或空穴所引起的。在氧化層中有些缺陷能產生陷阱,如懸掛鍵、界面陷阱變形的⒊―⒊、s―0鍵。氧化層陷阱電荷的產生方式主要有電離輻射和熱電子注人。減少電離輻射陷阱電荷的主要工藝方法有:①選擇適當的氧化工藝條件以改善sO2結構,使⒏―O―⒊鍵不易被打破。一般稱之為抗輻照氧化最佳工藝條件,常用1000℃干氧氧化;②在惰性氣體中進行低溫退火(150~400℃)可以減少電離輻射陷阱。