從⒛世紀80年代起。隨著集ADG508AKRZ-REEL成電路的發展,為滿足其多層互連技術的需求,對金屬及金屬化合物的CV0工藝進行了不斷的探索與開發。除了前述的W、WSi:、△N薄膜的C`0工藝的成功開發應用之外,傳統上使用PVD工藝制備的Cu、Al、Tl等金屬及金屬化合物薄膜的CVD工藝也取得了進展,開發出一些新型金屬有機化合物Cˇ0源。工藝方法除了冷壁式LPCVD,還采用了新開發源的MOCVD方法。近年來,有些金屬及金屬化合物的CVD工藝已投人到實際丁業生產中。

   金屬及金屬化合物使用cvd工藝制備,目的是為了獲得厚度均勻、表面平坦、臺階保形覆蓋和附著性更好的薄膜。另外,一些C`⑩金屬及金屬化合物還可以實現選擇淀積。但是,目前多數金屬及

金屬化合物的Cvd工藝并不十分成熟,還處于實驗室研究階段。

    從⒛世紀80年代末起,o冫0￡u工藝技術就開始被廣泛研究。最初是尋找合適的銅源――化學反應劑,以及最佳淀積條件。以銅的無機化合物(如以CuCb)作為源時,由于淀積溫度較高,不適合在前期已進行了多個工藝操作的襯底上制備銅互連布線。因此,銅源的開發主要是集中在銅的有機物上。當前主要是采用二價和一價銅的有機物作為源。二價銅有機物是早期主流源,通式為CJ(dlketonnatΘ,如Cu(a∞c)2,用H2作還原劑的化學反應方程式為Cu2(b-diketonnate)―←H2-Cu(s)―←2(⒌diketonnate)二價銅有機物源多是固態,在化學反應中,源面積的變化使得淀積速率不易控制,重復性差,但固態源室溫時穩定,易于存儲。

   近幾年來,一價銅有機物源開始出現并受到重視而逐漸成為主流.其通式為(b-dketollllate)CJ△,其中,I'″代表有機基團,L可以是路易士堿(1cwi曲ase),或為烯(或炔)類,如tms(trimcthyl§lme)、cod

(1,5cydooctadelle)。一價銅有機物源一般是液態,有較高的蒸氣壓,可以在較低溫度(如⒛0℃)下淀積銅膜,不需要其他還原劑。銅源在室溫較不穩定,不利于存儲。而且當卜dlketollnate是有機大分子基團時,如含有F、C、o等,淀積的銅薄膜中也會含有這類物質,將會影響銅膜性質。冷壁式LPCvd設備示意圖如圖⒎34所示。液態源由流量計控制流量并在蒸餾器中進一步被稀釋,進人反應器后被襯底吸附、分解,生成Cu薄膜,而分解產生的其他氣態物質則被抽氣系統排出反應器。