射頻濺射(RF№tltte。llbo)是指激發氣體等離子化的電場是交變電場的濺射方法。1966年IBM公司首先研發出了射頻濺射技術,它可以濺射絕緣介質。 L78M05CDT這一濺射方法的出現解決了用直流濺射工藝無法制各不導電化合物薄膜的問題。圖⒏23所示是射頻濺射裝置示意圖。

   射頻是無線電波發射范圍的頻率,為了避免干擾電臺丁作,濺射專用頻率規定為13.56MHz。 在射頻電源交變電場作用下,氣體中的電子隨之發生振蕩,致使氣體等離子化。而安裝靶的和放置襯底的兩個電極上連接的是射頻電源,對于絕緣介質靶,當靶在射頻電壓的正半周時,電子流向靶面,中和其表面積累的正電荷,并且積累電子,使其表面呈現負偏壓,導致在射頻電壓的負半周期時吸引正離子轟擊靶材,從而實現濺射。

   既然射頻濺射的兩個電極是連接在交變的射頻電源上,應該就沒有陰、陽極之分了。而實際上,這兩個電極是不對稱的。如圖孓23所示,放置襯底的電極與真空室外殼相連并接地,另一個電極安裝靶。放置襯底的電極相對于安裝靶的電極而言,面積大得多。基于離子鞘效應,兩個電極的電位加,濺射放電電流增加,薄膜淀積速率提高。但工作氣體的氣壓升高達某一值時,飛濺出來的靶原子在飛向襯底的過程中將會受到過多的散射,因而淀積到襯底上的概率反而又會下降。因此,隨著工作 氣體的氣壓變化,淀積速率會出現一個極大值。