靶原子氣相輸運過程是指從靶面逸出的原子(或其他粒子)氣相質量輸運到達襯底的過程。 L78L15ACD常規濺射工藝,由于平板式濺射裝置真空室內氣體壓力較高,盡管兩極板之間的距離較近(一般在10cm左右),靶原子在到達襯底表面前仍會發生多次與氣體(等離子體)粒子的碰撞,結果,襯底表面某點所到達的靶原子數與該點的到達角有關。而對于高離子濃度的磁控濺射工藝,真空室內氣壓低,可達高真空度范圍,氣體靶原子的平均自由程大于從靶面到襯底之間的距離,因此,以一定角度從靶面逸出的靶原子,氣相輸運軌跡是直線,襯底表面某點所到達的靶原子數是受遮蔽效應限制的。

   淀積成膜過程

   淀積成膜過程是指到達襯底的靶原子在襯底表面先成核再成膜的過程。和蒸鍍的成膜過程一樣,當靶原子碰撞襯底表面時,或是一直附著在襯底上,或是吸附后再蒸發而離開。與蒸鍍相比,濺射的一個突出特點是入射離子與靶原子之間有較大的能量傳遞,逸出的靶原子從撞擊過程中獲得了較大動能,其數值一般可達到10~50eV。相比之下,在蒸發過程中源原子所獲得的動能一般只有0.1~1eV。由于能量增加可以提高淀積原子在襯底表面上的遷移能力,改善薄膜的臺階覆蓋能力和附著力,因此,濺射薄膜的臺階覆蓋特性和附著性都好于蒸鍍薄膜。另外,濺射工藝的襯底溫度通常為室溫,但隨著濺射淀積的進行,受二次電子的轟擊,襯底的溫度將有所升高。通常濺射制備的是多晶態或無定形態薄膜。