光刻膠的黏附性描述了光刻膠黏著于襯底的強度
發布時間:2017/5/26 20:45:48 訪問次數:1451
光刻膠的黏附性描述了光刻膠黏著于襯底的強度。光刻膠必須黏附于許多不同類型的表面,包括硅、多晶硅、二氧化硅(摻雜的和未摻雜的)、氮化硅和不同的金屬。光刻膠SBJ100505T-121Y-N黏附性的不足會導致硅片表面上的圖形變形。光刻膠的黏附性必須保證光刻膠經受住曝光、顯影和后續的工藝(如刻蝕和離子注人)條件。
光刻膠的膨脹
在顯影過程中,如果顯影液滲透到光刻膠中,光刻膠的體積就會膨脹,這將導致圖形尺寸發生變化。這種膨脹現象主要發生在負膠中。由于負膠存在膨脹現象,對于光刻小于3um圖形的情況,基本使用正膠來代替負膠。正膠的分子量通常都比較低,在顯影液中的溶解機制與負膠不同,所以正膠幾乎不會發生膨脹.
因為正膠不膨脹.分辨率就高于負膠。另外,減小光刻膠的厚度有助于提高分辨率。因此使用較厚的正膠可以得到與使用較薄的負膠相同的分辨率。在相同的分辨率F,與負膠相比可以使用較厚的正膠,從而得到更好的平臺覆蓋并能降低缺陷的產生,同時抗干法刻蝕的能力也更強。
光刻膠的黏附性描述了光刻膠黏著于襯底的強度。光刻膠必須黏附于許多不同類型的表面,包括硅、多晶硅、二氧化硅(摻雜的和未摻雜的)、氮化硅和不同的金屬。光刻膠SBJ100505T-121Y-N黏附性的不足會導致硅片表面上的圖形變形。光刻膠的黏附性必須保證光刻膠經受住曝光、顯影和后續的工藝(如刻蝕和離子注人)條件。
光刻膠的膨脹
在顯影過程中,如果顯影液滲透到光刻膠中,光刻膠的體積就會膨脹,這將導致圖形尺寸發生變化。這種膨脹現象主要發生在負膠中。由于負膠存在膨脹現象,對于光刻小于3um圖形的情況,基本使用正膠來代替負膠。正膠的分子量通常都比較低,在顯影液中的溶解機制與負膠不同,所以正膠幾乎不會發生膨脹.
因為正膠不膨脹.分辨率就高于負膠。另外,減小光刻膠的厚度有助于提高分辨率。因此使用較厚的正膠可以得到與使用較薄的負膠相同的分辨率。在相同的分辨率F,與負膠相比可以使用較厚的正膠,從而得到更好的平臺覆蓋并能降低缺陷的產生,同時抗干法刻蝕的能力也更強。
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