硅片有多個特征參量,如晶向、摻雜類型、雜質濃度(或電阻率)等,可以按照其中一個參量來劃分硅片,如M24C01-MN6T按照摻雜濃度劃分硅片。本征硅理論上的電阻率可以達到20kΩ・cm,生產單晶硅片時,即使并未有意摻雜,也會有無意雜質摻人其中,如當前FZ硅無意雜質濃度最低可達10"atoms/cm3。

   輕摻雜硅片,標記為ll si或f Si,雜質濃度在10″~1o15扯0ms/cm3之間,多用于大功率整流器件。中等摻雜硅片,標記為艸Si或ΓSi,雜質濃度在1ol。~1o1:菠°ms/cm3之間,主要用于晶體管器件。重摻雜硅片,標記為rl si或曠si,雜質濃度在1o”~1021at°ms/cm3之間,是外延用的單晶襯底。

   ①RCA清洗法為美國無線電公司開發的一種晶片濕式化學清洗技術。按晶向劃分硅片,有E100]型、[110]型和E111彐型硅片。按摻雜類型劃分硅片,有n型和p型硅片。