基于不同的工藝需求,隨著氣相外延工藝的發展出現了多樣化的外延技術。為了減LD2982BM30R小自摻雜效應,出現了低壓外延I藝。為了實現只在襯底的特定區域生長外延層,出現了硅的選擇外延技術。還有異質外延中的SOI技術等多種工藝技術。

   低壓外延(I'o曠Pressurc Ephaxy)是指對外延反應器抽真空,控制反應室內外延氣體壓力在1×10s~2×104Pa之間的外延工藝。

   當反應室內氣體壓力降低時,一方面,在低壓下氣體分子密度降低由式(3-10)可知,分子平均自由程將增大,雜質氣相擴散速度也就加快9雜質穿越邊界層進人主氣流區所需時間就大大縮短;另一方面,氣體密度降低,由式(3△2)可知,氣流邊界層厚度增加,這將延長由襯底逸出的雜質穿越邊界層所需要的時間。從綜合效果看,雜質氣相擴散速度加快的影響占主要地位。例如,當壓力由1×lσ Pa降至約1Pa日寸,雜質氣相擴散系數增加幾百倍,而由于壓力降低邊界層厚度的增大只有3~10倍。雖然兩種效應同時對雜質穿越邊界層的時問產生影響,但其中擴散速度增大的影響是主要的,實際上雜質穿越邊界層的時間是減少了一個數量級。因此,由于壓力降低,襯底逸出的雜質能快速穿越邊界層進人主氣流區被排出反應器,重新進入外延層的機會減小,從而降低了自摻雜效應對外延層中雜質濃度及分布的影響。