晶體生長中,控制拉桿提拉速度和轉速、坩堝溫度及坩堝反向轉速是很重要的,硅錠的K4H511638J-LCCC直徑和生長速度與上述囚素有關。在坩堝溫度、坩堝反向轉速一定時,主要通過控制拉桿提拉速度來控制硅錠的生長。即籽晶熔接好后先快速提拉進行縮頸,再漸漸放慢提拉速度進行放肩至所需直徑,最后等速拉出等徑硅錠。

   停爐階段應先降溫,然后再停止通氣,停止抽真空,停止通人冷卻循環水,最后才能開爐取出單晶錠,這樣可以避免單晶錠在較高溫度就被暴露在空氣中,帶來氧化和污染。

   籽晶在拉單晶時是必不可少的種子,一方面,籽晶作為復制樣本,可使拉制出的硅錠和籽品有相同的晶向;另一方面,籽晶是作為晶核,有較大晶核的存在可以減小熔體向晶體轉化時必須克服的能壘(即界面勢壘)。縮頸能終止拉單晶初期籽晶中的位錯、表面劃痕等缺陷,能終止籽晶與熔體連接處的缺陷向晶錠內延伸。如圖23所示是縮頸作用示意圖,籽晶缺陷延伸到只有2~3mm的頸部表面時就終止了。為保證拉制的硅錠晶格完整,可以進行多次縮頸。 圖⒉3 縮頸作用示意圖速冷卻能阻止這些缺陷結團。點缺陷結團后多為螺位錯,這些位錯相對硅錠軸心呈漩渦狀分布。