盡管相對于真空蒸鍍而言濺射薄膜的保形覆蓋特性有所提高,但在制備超大規模集成電路的高密度互連系統中的金屬、合金及化合物薄膜時, PIC18F8621其臺階覆蓋特性依舊是主要問題。

   濺射薄膜在光刻窗口處的淀積情況是最能顯示其保形覆蓋特性的。如圖⒏27所示是常溫下的磁控濺射薄膜臺階覆蓋隨時間增加而變化的剖視圖。磁控濺射襯底吸附原子有較高的擴散遷移率,但在臺階的上緣由于到達角大(270°),淀積膜較厚,趨向于形成突起;而接觸孔底角由于到達角小(90°),且又存在遮蔽效應,淀積膜較薄,趨向于形成凹陷。

   日前,改善濺射薄膜的保形覆蓋特性的方法主要有:充分升高襯底溫度,在襯底上加射頻偏壓,采用強迫填充技術,采用準直濺射技術。

   為改善濺射薄膜的保形覆蓋特性,可以采取加熱襯底,升高襯底溫度的方法,以增強襯底所吸附濺射原子的表面擴散遷移率。但同時也要考慮襯底溫度升高,金屬多晶態薄膜的晶粒尺寸也隨之長大,使薄膜表面變得粗糙。而且襯底溫度升高也會帶來薄膜與襯底、薄膜與薄膜之間的互擴散增強現象。另外,濺射淀積薄膜時,靶的輻照加熱和高能工次電子轟擊產生的大量熱都會使襯底溫度升高。因此,必須綜合考慮各方面因素后再確定襯底的溫度,并對其進行有效控制。