sUPREM-I發表于1977年,1978年發表了sUPREM-Ⅱ。I和Ⅱ版本只能用于分析硅和工氧化硅中一維雜質分布;1983年推出SUPREM―Ⅲ,它是上兩個版本的擴充,盡管也只能分析一維結構,但與SUPREM―Ⅱ相比,有了很大的改進;隨后又推出了SUPREM R系列改進版本。FGH40T100SMD_F155

   sUPREM-Ⅳ是斯坦福大學開發的二維I藝模擬軟件SU盯CM刂的商用改進版,它是用ΓHE、中最重要的組成部分。SSUPREM―Ⅳ是世界上公認的最先進的集成電路工藝模擬軟件之一。通過sSUPREM-Ⅳ對實際工藝的模擬,可以預知工藝結果.減少實驗次數:應用結果對有關軟件的開發者、使用者及有興趣的科技人員有較大的參考價值。

   TsUPREM-Ⅳ是當前集成電路工藝仿真sUPREM系列的最高皈本。版本升級的主要標志有以下幾點:模擬的維數由一維二層結構、一維多層結構至二維多層結構;可模擬的效應由一級效應、二級效應擴展到二維狀態下的諸多效應,相應的數學物理模型逐步擴展,模型精度明顯提高;數值算法更趨完善,從而使模擬的精度更為精確。TsUPREM Bˉ與前幾種版本主要的區別就是由實施集成電路平面工藝的一維縱向模擬擴展到了二維平面模擬。

   TsUPREM-Ⅳ集成電路I藝仿真系統可實施的仿真功能覆蓋了當今各類集成電路的平面I藝丁序,如各種環境下的擴散丁序、各種氧化劑形式,以及各種組合方式下的氧化行為、硅化物介質淀積過程的仿真、各類集成電路制造所使用的摻雜元素的離子注入行為、各種外延生長(正外延、反外延、同質外延、異質外延)過程的描述、氧化介質膜淀積工藝、多形態選擇性窗口刻蝕的二維描述、多晶硅介質的淀積等。更為重要的是,TSUPREM-Ⅳ集成電路工藝仿真系統依據二維工藝模型,實時地反映出各種工藝過程中雜質元素的各向異性行為。這樣,可以在考察摻雜雜質縱向行為的同時連帶考

察它們的橫向行為,特別是對于小尺寸器件工藝加工過程的仿真尤為重要。TSUPREM―Ⅳ集成電路工藝仿真系統的模型升級重點在雜質擴散過程二維仿真上。其主要擴充點是與雜質屬性密切相關的若干二級效應,諸如離子激活效應、雜質分凝效應、點缺陷復合效應等。芷是因為引入了上述效應的二維描述,則需要考慮摻雜環境分氣壓的動態變化、不同摻雜氣氛及其氣氛流量并建立二維各向異性的雜質屬性模型,它包含了眾多具有各向異性特征的、與雜質屬性密切相關的特征參量。