可見,在148.34MHz的頻率處,輻射下降了近4.5dB,但是離限值線的余量較小。 M27C256B-12F1進一步檢查數碼相機中印制電路板的電路原理,發現控制芯片的電源采用磁珠與電容進行去耦,其中去耦電容C2:大小為0.1uF,如圖3。0~s所示。

   實際上0.1uF的貼片電容并不能很好地為1CXl MHz以上頻率去耦,原因主要在于兩個方面:一是電容本身存在寄生電感;二是去耦電流回路上存在的電感。對于一個理想的電源來說,其阻抗為零,在平面任何一點的電位都是保持恒定的(等于系統供給電壓),然而實際的情況并不如此,而是存在很大的噪聲,甚至有可能影響系統的正常工作,去耦電容就是為了降低電源阻抗,保證器件附近的電源穩定在波動較小的范圍內。關于去耦電容及為什么要進行去耦,已經在案例“電容值大小對電源去耦效果的影響”中及5,1節中有所描述,0.1uF的陶瓷貼片電容的諧振點一般在十幾兆赫茲,也就是說,0.1uF的陶瓷貼片電容,只能在十幾兆赫茲頻率附近使電源的阻抗保持在較低的水平,這個頻率離本案例中數碼相機的輻射超標的頻率點有一定的距離。圖3.鍤給出了接口芯片電源采用0.1uF去耦電容時,在頻率148.34MHz點上輻射較高的原因。圖3。弱中箭頭表示1鍶.m MHz等未被0.1uF電容很好地去耦的噪聲向電源傳輸,又由于在該頻率點上,電源阻抗較高,電源與地之間產生較高的壓降。這樣,相當于在電源與地之間形成了一個148.34MHz的電壓源,又由于數碼相機是一個浮地系統,與地相連的電纜屏蔽層成了輻射的天線。