LED器件需要在高真空腔室中蒸鍍多層有機薄膜
發布時間:2017/7/5 21:25:10 訪問次數:737
溫度23±3℃,濕度50±10%RII的白光區進行。上述是oLED顯示基板工序,用于LED照明的基板工序可以簡化些,主要是對ITo層進行處理形成電極圖案。MAX3045CSE
有機薄膜的真空蒸鍍工藝
LED器件需要在高真空腔室中蒸鍍多層有機薄膜,薄膜的質量關系到器件質量和壽命。在高真空腔室中設有多個放置有機材料的蒸發舟,加熱蒸發舟蒸鍍有機材料,并利用石英晶體振蕩器來控制膜厚。ITo玻璃基板放置在可加熱的旋轉樣品托架上,其下面放置的金屬掩膜板控制蒸鍍圖案。
一般有機材料的蒸發溫度一般在170°C~400℃之間、ITO樣品基底溫度在100℃~150℃、蒸發速度約0.hm~1nn△s、蒸發腔的真空度在5×10彳Pa~3×10叫Pa時蒸鍍的效果較佳。單色膜厚通過晶振頻率點數和蒸發舟擋板聯合控制,而三色則通過掩膜板來控制。但是,有機材料的蒸鍍目前還存在材料有效使用率低(<10%)、摻雜物的濃度難以精確控制、蒸鍍速率不穩定、真空腔容易污染等不足之處,從而導致樣片基板的鍍膜均勻度達不到器件要求。
溫度23±3℃,濕度50±10%RII的白光區進行。上述是oLED顯示基板工序,用于LED照明的基板工序可以簡化些,主要是對ITo層進行處理形成電極圖案。MAX3045CSE
有機薄膜的真空蒸鍍工藝
LED器件需要在高真空腔室中蒸鍍多層有機薄膜,薄膜的質量關系到器件質量和壽命。在高真空腔室中設有多個放置有機材料的蒸發舟,加熱蒸發舟蒸鍍有機材料,并利用石英晶體振蕩器來控制膜厚。ITo玻璃基板放置在可加熱的旋轉樣品托架上,其下面放置的金屬掩膜板控制蒸鍍圖案。
一般有機材料的蒸發溫度一般在170°C~400℃之間、ITO樣品基底溫度在100℃~150℃、蒸發速度約0.hm~1nn△s、蒸發腔的真空度在5×10彳Pa~3×10叫Pa時蒸鍍的效果較佳。單色膜厚通過晶振頻率點數和蒸發舟擋板聯合控制,而三色則通過掩膜板來控制。但是,有機材料的蒸鍍目前還存在材料有效使用率低(<10%)、摻雜物的濃度難以精確控制、蒸鍍速率不穩定、真空腔容易污染等不足之處,從而導致樣片基板的鍍膜均勻度達不到器件要求。
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