浸入式光刻是指在投影鏡頭與硅片之間用液體充滿,由于液體的折射指數比空氣高,因PT4121此可以增加投影棱鏡數值孔徑(NA)。以超純水為例,其折射指數為1。狃,相當于將193nm波長縮短到134nm,從而提高了分辨率。基于193nm浸人式光刻技術在⒛O4年取得了長足進展,并成功地使用在45nm技術節點中。193nm浸人式光刻技術原理清晰,構成方法可行并且投入小,配合舊有的光刻技術變動不大,節省設各制造商以及制程采用者大量研發及導入成本,因此157nm光源干式光刻技術被193nm浸人式光刻所替代。

   為了能在下一個技術節點上獲得領先,下一代的光刻技術正在研發當中,如遠紫外光光刻(EUV)、電子束投影光刻、離子束投影光刻、X射線光刻和納米印制光刻等。但是在32nm技術節點上,兩次圖形技術(double patterning)從工藝整合的角度出發,能夠采用多種工藝整合途徑,沿用193nm浸入式光刻技術,滿足32nm技術節點上的工藝需求L11。除此之外,兩次曝光技術(double cxposure)也在研究當中。結合兩次圖形曝光或者兩次曝光技術,193nm沉浸式光刻技術有可能向下擴展到”nm節點。