對于導電材料的填充技術,PT7C4337WEX早期的金屬沉積工藝采用物理氣相沉積(Physical VaporDepositi°n,PVD)I藝。但是,PVD技術的填充能力和臺階覆蓋能力都比較弱。為解決上述問題,化學氣相沉積(CVD)技術在接觸孔鎢栓填充上得到應用。在I藝優化后,CVD技術能夠提供保型沉積,這意味著比PVD技術更為優越的填充能力。當集成電路T業引人銅互連技術后,不論PVD還是CVD技術都不能滿足其填充能力的要求。研究發現,電化學沉積(ECD)技術能夠提供更為優越的填充技術以滿足銅互連技術中的挑戰。ECD技術因為其工藝具備自下而上(bottom up)的特點,因而具有更為優越的填充能力,對于高深寬比的間隙來說,這是一種理想的填充方式。在最近發展的替代柵工藝中,金屬沉積將面臨一些新的技術挑戰。