當集成電路發展到65nm技術節點時,HDP I藝技術已經不能滿足小尺寸溝槽的填充需求,因而發展出一種新的填充工藝技術即高深寬比工藝(High Aspect Ratio Process,HARP)。HARP工藝采用03和TEOS的熱化學反應,沒有等離子體的助,同時需要溝槽具有特定的形貌,如特定角度的V字形溝槽。PT4226該技術能夠適應深寬比在7:1以上的需求。⒛08年,應用材料公司又推出cHARP工藝技術以適應32nmェ藝的需求。該技術在原有工藝引入水蒸氣,能夠提供無孔薄膜,用于填充小于30nm、深寬比大于12:1的空隙,從而滿足先進存儲器件和邏輯器件的關鍵制造要求「6J。

   更進一步地,在2010年8月,同樣是應用材料公司推出第4代填充技術,即流動式化學氣相沉積(FCⅤD)技術。采用該技術,沉積層材料可以在液體形態下自由流動到需要填充的各種形狀的結構中,填充形式為自底向上(bottom up),而且填充結構中不會產生空隙,能夠滿足的深寬比可超過30:1。這種獨特I藝能夠以致密且無碳的介電薄膜從底部填充所有這些區域,并且其成本相對低廉,僅是綜合旋轉方式的一半左右,后者需要更多的設備和很多額外的工藝步驟。