心區域和I/O區域都已經生長了晶體管以后,沉積多晶硅層和硬掩模層(薄的⒏ON和PECVD二氧化硅)。 R1EX24256BSAS0I在沉積了柵層疊之后,將硬掩模進行圖形化(使用掩模poly,并用對多晶硅表面有高選擇性的離子刻蝕二氧化硅和s()N),然后去除光刻膠,使用Si()N和二氧化硅做硬掩模刻蝕多晶硅。去除⒏ON以后,使用氧化爐或快速熱氧化(RTO)形成多晶硅柵層疊側壁的再氧化(30A),來對氧化物中的損傷和缺陷進行退火(對柵層疊的離子刻蝕可能導致損傷或缺陷)。因為柵的形狀決定了晶體管溝道的長度,也即決定了CMOS節點中的最小臨界尺寸(CD),因此它需要硬掩模方案而不是光刻膠圖形化方案來對柵層疊進行圖形化,以期獲得更好的分辨率和一致性。

   柵氧化的結果使得I/O晶體管的柵氧較厚(沒有在這里顯示出來)而核心晶體管的柵氧較薄。相對于簡單的光刻膠圖形化方案,硬掩模方案可以獲得更好的分辨率和一致性。