補償隔離的形成如圖3,7所示。沉積一薄層氮化硅或氮氧硅(典型的厚度為50至150A), R1EX24256BTAS0A然后進行回刻蝕,在柵的側壁上形成一薄層隔離。補償隔離用來隔開由于LDD離子注人(為了減弱段溝道效應)引起的橫向擴散;對于90nm CMOS節點,這是-個可以選擇的步驟,但對于65nm和45nm節點,這一步是必要的。在補償隔離刻蝕后,剩下的氧化層厚度為~90A,在硅表面保留一層氧化層對于后續每步工藝中的保護而言是十分重要的。

   (補償隔離可以補償為了減少段溝道效應而采取的I'DD離子注人所引起的橫向擴散)

   nLDD和pLDD的形成

   有選擇的對n溝道MC〕S和p溝道MOS的輕摻雜漏極(LDD)離子注人如圖3.8所示。完成離子注人后,采用尖峰退火技術去除缺陷并激活LDD注人的雜質。nI'DD和pLDD離子注入的順序和尖峰退火或RTA的溫度對結果的優化有重要影響,這可以歸因于橫向的暫態擴散。