隔離的形成
發布時間:2017/10/14 11:10:01 訪問次數:547
接下來是主隔離的形成,如圖3.9所示。沉積四乙基原硅酸鹽一氧化物(Teos o蛀de,使用Teos前驅的CVD氧化物)和氮化硅的復合層,并對四乙基原硅酸鹽-氧化物和氮化硅進行離子回刻蝕以形成復合主隔離[:1。R1EX24256BTAS0G隔離的形狀和材料可以減小晶體管中熱載流子的退化。
n+,p的源和漏(S/D)的形成如圖3.10所示。RTA和尖峰退火被用來去除缺陷并激活在吖D注入的雜質。注人的能量和劑量決定了S/D的節深并會影響晶體管的性能L ml,較淺的源漏節深(相對于M()SFET的柵耗盡層寬度)將會顯著地減小短溝道效應(SCE)。
接下來是主隔離的形成,如圖3.9所示。沉積四乙基原硅酸鹽一氧化物(Teos o蛀de,使用Teos前驅的CVD氧化物)和氮化硅的復合層,并對四乙基原硅酸鹽-氧化物和氮化硅進行離子回刻蝕以形成復合主隔離[:1。R1EX24256BTAS0G隔離的形狀和材料可以減小晶體管中熱載流子的退化。
n+,p的源和漏(S/D)的形成如圖3.10所示。RTA和尖峰退火被用來去除缺陷并激活在吖D注入的雜質。注人的能量和劑量決定了S/D的節深并會影響晶體管的性能L ml,較淺的源漏節深(相對于M()SFET的柵耗盡層寬度)將會顯著地減小短溝道效應(SCE)。
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相關技術資料- 10-14隔離的形成
- 相關IC型號
- R1EX24256BTAS0G
- 暫無最新型號
公網安備44030402000607
