自對準多晶硅化物,接觸孔R1EX24256BTAS0I和鎢塞的形成如圖3.11所示。在濕法清潔去除有源區(AA)和多晶硅柵表面的氧化物以后,濺射一薄層(200A)鈷(Co),緊接著進行第一次RTA(55o℃),和硅接觸的鈷將會發生反應。然后,氧化硅上剩余的沒有反應的鈷將用SC1溶劑去掉,并進行第二次RTA(740℃)。因此,有源區和多晶硅柵區域會以自對準的方式形成 鈷的硅化物,這被稱為自對準多晶硅化物工藝然后,通過沉積氮氧硅(150A)和磷硅玻璃(PSG,5,5kA)形成多金屬介質(PMD),并使用CMP進行平坦化。沉積一層CVD氧化物(Teos o蛀de)用來密封PSG。然后形成打開接觸孔的掩模(掩模CT),隨后刻蝕接觸孔上的PSG和⒏N。接下來濺射Ti(150A)和TiN(50A),用CVD法沉積鎢(W,3kA)并用RTA(700℃)進行退火。△層對于減小接觸電阻十分重要,側壁上覆蓋的TiN用以保證W填充工藝的完整性[12],使得填充到接觸孔中的W沒有空隙。對鎢表面進行拋光(使用CMP)直到露出Teos°xid表面,此時接觸孔內的鎢塞就形成了。