FeRAM[23~2r基于電容中的鐵電極化,(相對于傳統的浮柵閃存)有低功耗、低操作電壓(1V)、T7525SEC高寫壽命(1012)和編程快((100ns)等優點。鐵電MiM電容(見圖3.21)可與后端制程(BEOI')集成,電容被完全封閉起來(避免由磁場強度引起的退化)。鐵電電容的丁藝流程如圖3,22所示。FeRAM中研究最多的材料是PZT(PbZrxTixO3),SBT(SrBi2T助09),BTO(B⒈TL O12),它們擁有抗疲勞、工藝溫度低、記憶性好、剩余極化高等令人滿意的特性[2:]。~晶體管一電容(1T1C)(作為非揮發存儲單元)的單元結構是最常用的;而1T2C和2T2C單元則對丁藝偏差有更強的適應性,并有更好的性能[29]。需要注意的是擁有鐵電柵介質的FET單元由于較差的記憶性(幾小時或幾天)而使其應用受到限制L25],并且與前端制程(FEOL)不兼容。