金屬-1的形成(單鑲嵌)
發布時間:2017/10/14 11:13:52 訪問次數:804
這之后沉積金屬間介質層(IMD),例如⒊CN(300A)含碳低乃PECVD氧化硅(2kA)和Te°s°妊dc(250A),并進行圖形化(使用掩模meta⒈1)和氧化物刻蝕。IMD1層主要是為了良好的密封和覆蓋更加多孔的低乃介質。然后沉積Ta/TaN和銅種子層,隨后填充銅(通過ECP法)并用CMP進行平坦化。金屬1互連就形成了。這是單鑲嵌技術E13],見圖3,12。 R1EX24512BSAS0A
M1rsingle~DamascenΘ∶IMDl dcp,Mask(Ml》lMDl etch;TaN/勹Γ〃Cu seed;Ctl plating;CMP; 圖3.12 通過單鑲嵌技術實現金屬的圖解
這之后沉積金屬間介質層(IMD),例如⒊CN(300A)含碳低乃PECVD氧化硅(2kA)和Te°s°妊dc(250A),并進行圖形化(使用掩模meta⒈1)和氧化物刻蝕。IMD1層主要是為了良好的密封和覆蓋更加多孔的低乃介質。然后沉積Ta/TaN和銅種子層,隨后填充銅(通過ECP法)并用CMP進行平坦化。金屬1互連就形成了。這是單鑲嵌技術E13],見圖3,12。 R1EX24512BSAS0A
M1rsingle~DamascenΘ∶IMDl dcp,Mask(Ml》lMDl etch;TaN/勹Γ〃Cu seed;Ctl plating;CMP; 圖3.12 通過單鑲嵌技術實現金屬的圖解
熱門點擊
- 編制工藝文件的原則與要求
- HDP-CVD工藝重要參數-沉積刻蝕比
- 增大晶圓的尺寸
- 空心圓柱體類別選擇Tube
- 手工焊接的操作要領
- 單位面積上容納的元器件數量較多
- 金屬-1的形成(單鑲嵌)
- 盡量避免在低頻模擬信號電路的PCB中使用大面
- 照明控制是近幾十年由國外提出并發展的自動控制
- 調節控制板上的頻率微調電位器
推薦技術資料
- 硬盤式MP3播放器終級改
- 一次偶然的機會我結識了NE0 2511,那是一個遠方的... [詳細]