從圖5.1中可以看出,當拉應力作用于<110>和<100>晶向溝道上時,NMOS器件的驅動電流都會隨應力增加而增加。而壓應力作用于其上時, K4S561632J-UI75它的驅動電流會隨應力增加而減少。PMOS器件的行為和NMOS器件是不同的,不管是拉應力還是壓應力,幾乎不會 影響(100>溝道的PMOS器件驅動電流。為了獲得應變工程的好處,PMOS器件需要做在<110)溝道上。作用于<110)溝道上的壓應力正比于PM(E器件的驅動電流的大小;而拉應力則反之,越大的拉應力獲得的驅動電流越小。需要指出的是,沒有受到應變作用的PMOS器件在<100)溝道上的驅動電流大于(110>溝道,這就是為什么有些公司在90nm和65nmェ藝中PMOS沒有使用應變硅遷移率提升技術的時候,采用(100)晶向的

單晶硅(100)晶面襯底的原因。

   圖5.1已經總結了集成電路工業中廣泛使用的驅動電流與應力和溝道方向的相關性及其提升CMOS器件性能的方法。在本章中,我們將講解一些主要的應變I程技術。5.2節中將討論源漏區嵌入技術,源漏區嵌人式鍺硅技術產生的壓應力已經被證明可以有效提高PMOS器件的驅動電流(詳見5.2.1節)。另外一方面,源漏區嵌人式碳硅技術產生的拉應力可以提高NMOS器件的驅動電流(詳見5.2,2節)。5.3節將討論在NMOS器件性能提升中廣泛使用的應力記憶技術,5.4節將討論金屬前通孔雙極應力刻蝕阻擋層技術,拉應力可以提高NMOS的器件性能,而壓應力可以提高PMOS的器件性能。最后一節將討論應變效果提升的技術,包括應力臨近技術和可替代柵提高應變的技術等。