用等離子增強氣相沉積技術制備的氮化硅薄膜,在半導體工業界已經被廣泛應用,其沉積工藝也非常成熟。 TC4428AEOA713本節主要著眼于介紹應力記憶技術所采用的高拉應力氮化硅及其性質以及氮化硅性質的演變對應力記憶效應產生的影響。

   需要說明的是,由于NH3比N2更易于解離,所以式(53)的反應中,大部分N離子來源于NH3,N2主要起稀釋和平衡氣壓的作用,但也會參與反應。式(54)的反應則不采用NH3,直接用N2提供N離子,反應速度會相應降低。不論是哪種反應制備的氮化硅,其中除了Sl原子和N原子之外,還有含量不等的H原子,主要以S←H,NH的形式存在。H原子的含量及存在方式,對氮化硅薄膜的致密度、折射率、應力大小有極大影響。H離子的來源有兩個:⒊H4和NH3,所以即便是式(5趔)的反應也無法制備不含H的氮化硅。人們可以根據器件特性的需要,通過變化工藝參數來調整H原子含量,從而得到理想性能的氮化硅薄膜。反應溫度,氣體流量,射頻電源頻率和功率,反應氣壓等都可以影響氮化硅中H原子含量及其性質。一般來說,(SiH4+NH3)/N2比例越大,高頻電源(13.3MHZ)功率越大,反應溫度越低,H含量越高,本征應力越低(有時也叫沉積應力)。