與常規CMOS工藝兼容的鎳的全硅化工藝是自對準工藝,而且幾乎沒有柵介質的損傷, TC74LCX32FT是一種比較簡單的形成金屬柵的方法。由于NiSi的功函數接近硅能帶間隙中央,可以通過摻雜(PtSix:5,1cV;Ni(⒛%)Ta(80%)⒏:4.2eV)和改變硅化鎳的相態(NiSi:4.5eV;Ni3⒏:4,85eV)對其進行調節。但是高摻雜濃度的硅化物和相控制都很難付諸生產,硅化處理的不完全和組分的微小偏差都會導致柵極功函數出現較大幅度的變化;而且用NiSi做柵極同時也會形成H孓⒊鍵,不能對閾值電壓進行很好的控制。

   單元素金屬或者合金可以作為金屬柵極,但是它們的熱穩定性和抗氧化能力較差,只有少數像鉑和銥這樣的貴金屬較好,但是這些金屬極難刻蝕,很難與標準工藝集成。具有良好導電性和合適功函數的金屬氧化物如氧化銥(4.32eV)和氧化釕(5.0~5.3eV),同樣可以作為MOS器仵柵極的候選材料,然而金屬氧化物的熱穩定性差,并且其成分中的氧在高溫退火條件下會向襯底擴散導致襯底被進一步氧化,使得有效功函數變化和等效氧化物厚度(EOT)增加,且金屬氧化物對H2的退火氣氛十分敏感。