在后烘完成后,硅片會進人顯影步驟。由于光化學反應后的光刻膠呈酸性,顯影液采用強堿溶液。 TA7502CM一般使用體積比為2.38%的四甲基氫氧化銨水溶液(Tetra Methyl Ammol△lumHydroxide,TMAH),分子式為(CH3)1N()H。光刻膠薄膜經過顯影過程后,曝過光的區域被顯影液洗去,掩膜版的圖形便在硅片上的光刻膠薄膜上以有無光刻膠的凹凸形狀顯示出來。顯影工藝一般有如下步驟:

   (1)預噴淋(preˉwet):通過在硅片表面先噴上一點去離子水(DI water),以提高后面顯影液在硅片表面的附著性能。

   (2)顯影噴淋(developer dispcnse):將顯影液輸送到硅片表面。為了使得硅片表面所有地方盡量接觸到相同的顯影液劑量,顯影噴淋便發展了以下幾種方式。如使用E2噴嘴,LD噴嘴,等等。

   (3)顯影液表面停留(puddle):顯影液噴淋后需要在硅片表面停留一段時間,一般為幾十秒到一兩分鐘,目的是讓顯影液與光刻膠進行充分反應。

   (4)顯影液去除并且清洗(rinse):在顯影液停留完后,顯影液將被甩出,而去離子水將被噴淋在硅片表面,以清除殘留的顯影液和殘留的光刻膠碎片。

   (5)甩干(spin dry):硅片被旋轉到高轉速以將表面的去離子水甩干。