在顯影后,由于硅片接觸到水分,光刻膠會吸收一些水分,這對后續的工藝,如濕發刻蝕不利。TA7504M于是需要通過堅膜烘焙(hard bake)來將過多的水分驅逐出光刻膠。由于現在刻蝕大多采用等離子體刻蝕,叉稱為“干刻”,堅膜烘焙在很多工藝當中已被省去。

   測量

   在曝光完成后,需要對光刻所形成的關鍵尺寸以及套刻精度進行測量(metrc,logy)。關鍵尺寸的測量通常使用掃描電子顯微鏡,而套刻精度的測量由光學顯微鏡和電荷耦合陣列成像探測器(Charge Coupled Device,CCD)承擔。使用掃描電子顯微鏡的原因是由于半導如果加速電壓為300V,則電子的波長為0.07nm,對于線寬的測量足矣。實際工作中,電子顯微鏡的分辨率是由電子束在材料中的多次散射以及電子透鏡的像差決定的。通常,電子顯微鏡的分辨率為幾十個納米,測量線度的誤差在1~3nm左右。雖然套刻精度也已經達到納米級別,但是,由于測量套刻只需要具備較粗線條中央位置確定的能力,測量套刻精度可以使用光學顯微鏡。