圖7,12(a)為掃描電子顯微鏡所拍攝的尺寸測量截圖,圖中白色的雙線和相對的箭頭代表目標尺寸。 TA7505M掃描電子顯微鏡的像對比度由經過電子轟擊所產生的二次電子發射和被收集形成的。可以看出,在線條的邊緣,可以收集到較多的二次電子。原則上,收集到的電子越多,測量得也就越準確。可是,由于電子束對光刻膠的沖擊不可忽略「I21,經過電子束照射,光刻膠會縮小,尤其以193nm的膠最嚴重。所以建立一個可測量性與小破壞性的平衡變得十分重要。

   圖7,12(b)為典型的套刻測量示意圖,其中線條粗細一般為1~3um,外框邊長一般為20~30um,內框邊長一般為10~⒛um。在這張圖里,內框和外框顯示不同的色彩或者對比度是由于不同的層次薄膜厚度的不同所產生的反射光的色彩以及對比度的差異。套刻的測量通過確定內框中央點和外框中央點的空間差異來實現。實踐證明,只要提供足夠的信號強度,即便是光學顯微鏡,也能夠實現1nm左右的測量精度。