曝光區套刻的3個參量及其在硅片套刻上的表現如圖7.43所示。其實,對于曝光區, R010033600000000也有4個套刻參量,由于平移同網格的平移是重復的,所以一般不再專門將平移列在曝光區套刻中。加上放大率和旋轉的非對稱性,于是有如下10個光刻套刻線性參量:

   (1)網格參量(6個):

   平移(translation)Tx,TY;

   硅片旋轉(wafer rotation)Rx9RY;

   網格放大率(ghd magniⅡcation).Vx,MY。

   (2)曝光區參量(4個):

   掩膜版旋轉(reocle rotation,shot rc,tation)Rx dY;^

  掩膜版放大率(reticle magni伍cation,shot magnⅡication)Mx,.Vt・。