改進氣泡的問題需要從源頭上阻止氣泡的產生,如阻止空氣在浸沒使用的超純凈水中的過量溶解。 V52C4258K70還有,如果在快速掃描時(通常最快速度可以達到600~700mm/s)產生了氣泡,需要通過真空系統將其抽除。通常這樣的真空抽吸裝置存在于水罩上和硅片平臺(wafer table)邊緣。

   襯底上的引人的缺陷一般會造成硅片表面突起,引起涂膠(包括光刻膠和抗反射層)不良。此種缺陷一般為顆粒。這種顆粒可以是從前層工藝帶來的。例如,干法刻蝕(等離子體刻蝕)中,從腔體內表面掉下的顆粒或者片狀物(flakes),也可以是物理氣相沉積(PhysicalVapor Deposition,PVD)工藝帶來的顆粒等。

   缺陷的檢測一般通過紫外光對硅片表面做成像,并且通過一定方式的比較來得到。缺陷在硅片上的分布分為周期性和非周期性分布。周期性分布一般指在每一個曝光區域(shot)或者芯片區域(die)的固定地方都出現。而非周期性的分布一般并不固定出現在硅片的某一區域,他可以以硅片圓心為對稱點,呈中央一四周分布,也可以偏向硅片某一邊緣,如缺口(n。tch)附近。對于非周期性的缺陷,如果每一個曝光區域中有不止一個相同的芯片區域,那么,可以通過比較兩個芯片區域的不同點來得出缺陷的位置。這種方法叫做“芯片和芯片”比較(dieto die∞mparison)。如果每一個曝光區域只有一個芯片,那么缺陷的檢查要么通過圖形大小、形狀的甄別,要么通過同設計圖樣的比較,所謂的“芯片和數據庫”比較(die to database∞mparison)。對于現代光刻工藝來講(<0.25um),由于受到衍射的影響,這種比較方法必

須考慮到設計圖形經過衍射成像后的變化。如圖7.51(a)、圖7.51(b)所示,圖中的線端明顯變圓。