光刻區又稱為黃光區,是半導體制造中最關鍵的加工步驟,使用的設備極其昂貴。光NE555DT刻目的是將光刻膠涂到晶圓表面后,使用受控的光線進行曝光,在晶圓表面形成所需的圖形。實際上,光刻工藝是一系列工序的組合,包括涂膠、軟烘、曝光、顯影、堅膜等8個工序。涂膠/顯影設備(Coatc〃D田e1opcr Track)是用來完成光刻的一系列加工設備的組合,是一種典型的多集束型裝各,也被稱為Track系統。該系統首先對晶圓進行預處理、涂膠、甩膠、烘干,然后用機械手將涂膠的晶圓送入對準及曝光設各。步進光刻機(steppcr)用來將晶圓和管芯圓形陣列對準。在恰當地對準后,步進光刻機先曝光晶圓上的一小片面積,然后步進到硅片的下一塊區域并重復上述的步驟,直到在晶圓表面完成所有的曝光為止。 完成后,硅片回到涂膠/顯影設備對光刻膠進行顯影,隨后清洗晶圓并再次烘干。