電壓襯度是以SEM的電子束或FIB的離子束作為探針的定位技術・對不可見缺陷能夠實現地址的準確定位,縮短失效分析的時間,是集成電路失效分析實驗室應用最廣泛的非接觸式檢測樣品內部節點表面電勢的技術。PLY10AN1430R5R2B該方法已廣泛應用于集成電路內部線路或晶體管層次的失效定位,尤其在深亞微米技術領域。PVC是掃描電鏡的一項基本應用,也是另外一種有效的失效分析工具,結合離子束切割技術,對集成電路進行失效分析。

   Voltage Contract利用SEM的電子束或F1B的離子束與固體樣品相互作用后產牛的二次電子受樣品表面電勢高低影響,來調制樣品表面二次電子的發射,將樣品表面形貌襯度和電壓襯度疊加在一起,產生明暗對比比較明顯的襯度像的一種技術。將它與集成電路電學特性結合起來,根據電路中金屬互聯層和半導體器件單元上的不同電勢,能夠對半導體芯片進行失效地址定位和失效機制分析。被動電壓襯度PVC是利用SEM電子束或FIB的離子束為探針,不同于常規外加偏置,故稱為被動電壓襯度。有關PVC、sEM和FIB的原理、在IC失效分析中的應用將在微分析技術章節加以詳細介紹L17J。