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半導體二極管的特性

發布時間:2017/12/14 21:07:43 訪問次數:1309

   1)正向特性 MBRS340

   如圖3-5-zI所示,當二極管兩端加正向電壓時,二極管導通。當正向電壓很低時,電流很小,二極管呈現較大的電阻,這一區域稱為死區。鍺管的死區電壓約為0.1V,導通電壓約為0.3V;硅管的死區電壓約為0.5V,導通電壓約為0.7V。當外加電壓超過死區電壓后,二極管內阻變小,電流隨著電壓增加而迅速上升,這就是二極管的正常工作區。在正常工作區內,當電流增加時,管壓降稍有增大,但壓降很。

   2)反向特性

   如圖3-5叫所示,當二極管兩端加反向電壓時,此時通過二極管的電流很小,且該電流不隨反向電壓的增加而變大,這個電流稱為反向飽和電流。反向飽和電流受溫度影響較大,溫度每升高10℃,電流增加約1倍。在反向電壓作用下,二極管呈現較大的電阻(反向電阻)。當反向電壓增加到一定數值時,反向電流將急劇增大,這種現象稱為反向擊穿,這時的電壓稱為反向擊穿電壓。

     


   1)正向特性 MBRS340

   如圖3-5-zI所示,當二極管兩端加正向電壓時,二極管導通。當正向電壓很低時,電流很小,二極管呈現較大的電阻,這一區域稱為死區。鍺管的死區電壓約為0.1V,導通電壓約為0.3V;硅管的死區電壓約為0.5V,導通電壓約為0.7V。當外加電壓超過死區電壓后,二極管內阻變小,電流隨著電壓增加而迅速上升,這就是二極管的正常工作區。在正常工作區內,當電流增加時,管壓降稍有增大,但壓降很。

   2)反向特性

   如圖3-5叫所示,當二極管兩端加反向電壓時,此時通過二極管的電流很小,且該電流不隨反向電壓的增加而變大,這個電流稱為反向飽和電流。反向飽和電流受溫度影響較大,溫度每升高10℃,電流增加約1倍。在反向電壓作用下,二極管呈現較大的電阻(反向電阻)。當反向電壓增加到一定數值時,反向電流將急劇增大,這種現象稱為反向擊穿,這時的電壓稱為反向擊穿電壓。

     


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