非破壞性分析
發布時間:2017/11/13 20:24:47 訪問次數:1261
對器件不產生物理損傷的檢測。在失效SY88903VKI分析流程中常指不必打開封裝對樣品進行失效定位和失效分析的技術。主要用于封裝缺陷和引線斷裂的失效定位,采用的主要儀器包括X射線透視和掃描聲學顯微鏡,具有不必打開封裝的優點。
半破壞性分析
在器件外部實施了相應的非破壞性分析后,便可以進行半破壞性分析。主要包括:
開封:電子器件兩類常用的開封方法是機械方法和化學方法。半破壞分析常用化學方法中的自動(Jet Etch;塑封器件噴射腐蝕開封)開封,一般用于環氧樹脂密封的器件。
即對器件進行部分開封,暴露芯片表面或背面,但保留芯片、管腳和內引線和壓焊點的完整性及電學性能完整,為后續失效定位做備。lJxl此,也常被歸在失效定位的范疇內。此步驟的關鍵是保持器件的電學特性開封前后的一致性。
對器件不產生物理損傷的檢測。在失效SY88903VKI分析流程中常指不必打開封裝對樣品進行失效定位和失效分析的技術。主要用于封裝缺陷和引線斷裂的失效定位,采用的主要儀器包括X射線透視和掃描聲學顯微鏡,具有不必打開封裝的優點。
半破壞性分析
在器件外部實施了相應的非破壞性分析后,便可以進行半破壞性分析。主要包括:
開封:電子器件兩類常用的開封方法是機械方法和化學方法。半破壞分析常用化學方法中的自動(Jet Etch;塑封器件噴射腐蝕開封)開封,一般用于環氧樹脂密封的器件。
即對器件進行部分開封,暴露芯片表面或背面,但保留芯片、管腳和內引線和壓焊點的完整性及電學性能完整,為后續失效定位做備。lJxl此,也常被歸在失效定位的范疇內。此步驟的關鍵是保持器件的電學特性開封前后的一致性。
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