有機濕法去除光阻是靠打斷光阻分子結構。早期的S912XEG128J2CAA有機去除劑主要是苯基系列,如EKC早期系列等,使用較為普遍,但由于其制程耗酸量大,難處理等原因,漸漸被少苯或無苯有機系列取代,如NMP和別的有機物,這類有機物可生物降級或稀釋處理。有機相光阻的去除,主要應用在Al線制程的后段刻蝕和后高介金屬柵極(HKMG hs0形成光阻的去除上。

   氧電漿灰化合并無機氧化去除(前段制程)

   這種方法的去除涵蓋兩方面的應用,一是STI溝道、柵極硅和接觸窗刻蝕灰化后殘留物的清除;二是離子植人灰化后殘留物的清除。

   sTI溝道、柵極硅和接觸窗刻蝕后清除。這=種刻蝕除STI溝道輪廓要求87°夕卜,其他都要求盡可能90°垂直。做到這一點,刻蝕時刻蝕氣體和其他參數適度調配,有利于含 碳副產物粘附于側壁,進而保護側壁免受持續刻蝕的侵蝕,只朝一個垂直方向刻蝕。刻蝕副產物包含硅、碳、氧的聚合物,這樣既含碳又含硅的副產物覆蓋在刻蝕后的光阻表面、側壁和底部,一般使用氧電漿灰化去除光阻,剩下的殘留物,應用濕法組合(SPM―>DHF)RCA)去除。SPM功能去除灰化后的殘留碳,稀HF去除含硅副產物,RCA像前面講過,去除金屬離子和顆粒。