⒛世紀90年代初期,光刻對平坦度日益迫切的要求,催生了化學機械平坦化(CMP)I藝,它開始被用于后端(BEOI')金屬連線層間介質的平整,當時還是一個不被看好的丑小鴨。然而隨著時光的流逝,Ⅱ小鴨卻越來越顯現出她獨特的魅力。OP2177AR

   ⒛世紀90年代中期,淺槽隔離拋光(sTI CMP)在0.35um技術中被用于形成淺槽隔離,以取代原先的I'(rOs。鎢拋光(W CMP)也在0.35um技術中以它高良率低缺陷的優勢,取代了原先的反刻蝕(etch back)丁藝。到了21世紀初,銅拋光(Cu CMP)閃亮登場,使

0.13um后端銅制程變為現實。不過當時的Cu CMP相對簡單,只要求研磨Cu、Ta和TE()S等材料。Cu CMP一直被延續使用到90nm、65nm,直到今天的45/32/28/22nm。拋光材料日益復雜,涉及低乃材料、AID阻擋層、Co、Ru等;拋光要求日益增高,它要求高均勻性、高平整度、低缺陷和低壓力等。近年來,CMP技術在32/22nm技術形成高慮金屬門的工藝中,叉有了新的用武之地,這也對CMP提出了更高的要求。另外,CMP也在PCRAM技術中,擔當GST CMP的重任。諸如此類,新的CMP應用層出不窮。