65nm和45nm以下濕法處理難點以及HKMG濕法應用

   在技術節點從90nm向65nm/45nm轉變過程中,由于集成度的變化,對濕法清洗的主要影響是NiSi中Pt的引人,因為Pt相對Ni和別的硅化物金屬較為惰性,W134SHTR有關未反應NiPt合金的去除也極為挑戰,詳細回顧9.7節.

  15nm以下CMOS已進人半導體丁業的新時代,一方面是柵厚度縮小,帶來較高柵漏電流,因而柵sO3電介質被新的材料替代:另一方面,多晶硅柵極顯示對總柵介電層厚度有3~5A損耗作用;再者由于硼(B)的滲透.多晶硅也與PM()S的高泛介質不兼容解決這些問題的有效辦法是用金屬柵替代多品硅柵,這些高虍介質和金屬材料引入邏輯CM()S的制造,將給濕法清洗帶來很多不便和挑戰。