具有非常小幾何形狀并有很窄定位裕度的高端產品要求高質量的放大掩模版／掩模版。 P82B715T用于這種I：藝中的放大掩模版和掩模版是由激光或電子束直接曝光寫入方式制成的（A流程和B流程）。激光曝光使用波長364 nm的I線系統。它可使用標準的光學光刻膠并且比電子束曝光更快。用一個聲波光學調制器( AOM)。31控制直接寫入激光源的開和關。在所有這些情況中，放大掩模版或掩模版被加工處理，以在其鍍鉻層上刻蝕出圖形，，也可以用其他的掩模版／放大掩模版工藝流程。在A流程中的放大掩模版可以用激光／電子束制作，或母版可以用激光／電子束制作．，

   超大規模集成電路( VLSI)和甚大規模集成電路(UI．SI)級的電路實際E要求無缺陷及尺寸七完美的掩模版和放大掩模版。從各個方面上的關鍵尺寸( CD)裕度為10%或更多，留給放大掩模版4%的錯誤余量。32j。有一些方法用激光“消滅”（zapping）技術來消除不期望的鉻點和圖形伸出。對于小圖形的掩模版和放大掩模版，聚焦離子束( FIB)是首選的修復技術。沒有或部分圖形丟失可用碳沉積的方法來填補。不透明的或不想要的鉻區域以離子束濺射來去隙。