擴散工藝（熱擴散或離子注入）的目的有如下3個：

   1．在晶圓表面產生具體摻雜原子的數量（濃度）。PCA9538PWG4

   2．在晶圓表面下的持定位置處形成NP結或PN結。

   3．在晶圓表面層形成特定的摻雜原子濃度和分布。

    結的圖形表示

   在半導體器件的截面圖中，NP結被簡單地表示為器件內部的區域，沒有圖形代表N型或P型區域。截面圖僅僅顯示摻雜區域和結的相對位置。這種類型的圖基本不提供雜質原子濃度的信息而僅僅估計區域的實際尺寸。在圖中，20 mm厚的晶圓上只有2ht,m r深的結，當晶圓厚度按比例變為8英尺時，結深僅僅變為0.4英寸。

   濃度隨深度變化的曲線

   另一種顯示摻雜區域的二維圖形是濃度隨深度變化的曲線。這種圖形的縱坐標為雜質的濃度，橫坐標為距晶圓表面的深度。給出了這種圖形的一個例子。這個圖例中所用的數據來自的摻雜示例。首先，畫出了P型摻雜的濃度。示例中，縱深方向的5個層中剛好有5個P型雜質原子。其次，N型雜質的原子數也被標示出了。由于原子數隨著深度的增加而減少，所畫線段向右下方傾斜。在第4層，N型與P型雜質數量相當，兩線交合。這是圖形方式顯示結的位置。