在爐管中，雜質原子擴散到裸露的晶圓中。在晶圓內部，摻雜原子以兩種不同的機制運動：PCA9539PWR空位模式和間隙模式。在空位模式中，摻雜原子通過占據晶格空位來運動，稱為填空雜質( vacancy)。第二種模式依賴于雜質的間隙運動。在這種模式中，摻雜原子在晶格間（即間隙位置）運動。

   淀積工藝受幾個因素控制或約束。一個因素是特定雜質的擴散率( diffusivity)。擴散率計量的是雜質在特定晶圓材料中的運動速率。擴散率越高，雜質在晶圓中的穿越越快。擴散率隨溫度的上升而變大。

   另外一個因素是雜質在晶圓材料中的最大固溶度( maximum solid solubility)。最大固溶度是特定雜質在晶圓中所能達到的最高濃度。相似的例子是咖啡中糖的最大溶解度。咖啡只能溶解一定量的糖，而后便會在杯底凝結為固態糖。最大固溶度隨溫度的升高而升高。

   在半導體淀積步驟中，將雜質濃度故意設置得比晶圓材料中的最大固溶度更高。這種情形下，確保晶圓可接受最大摻雜量。

   進入晶圓表面的雜質數量僅僅與溫度有關，淀積在所謂的同溶度允許條件下進行。硅中不同雜質的固溶度。