ICL3222CBZ半導體表面的電子親和能
發布時間:2018/12/21 21:19:27 訪問次數:1811
分別為溶液相對于孤立分子、晶體相對于溶液發生的光譜紅移有機材料中的電子在不同能級之間的躍遷、不同分子之間的運動產生了各種物理過程,同時體現了材料的不同性質。孤立分子和有機晶體的能級圖中,包含了幾個比較重要的有機光電子概念,介紹如下。
最高占據能級和最低空置能級
最高占據能級(the Ⅱghe眈0ccupied mo1ecular o此ital,HOMo,定義為分子的填充軌道中能量最高的能級,與實驗值中的電子解離能相等trP);最低空置能級(the loWest unoccupied molecular orbital,LUMo)定義為分子的空置軌道中能量最低的能級,與實驗值中的電子親和能相等σ⑷。結合能帶理論,通常情況下,固體材料中的HOMO和LUMO分別相當于價帶←alence band,VB)頂端和導帶(conducting band,CB【底端。
電子親和能、解離能
物理上, ICL3222CBZ半導體表面的電子親和能(electron aⅢnity)〃定義為材料表面處于導帶底端的電子進人表面真空能級所需要的能量。類似地,解離能Conization potentia1)JP定義為材料表面處于價帶頂端的電子進人表面真空能級所需要的能量,如圖2,16所示。在半導體材料中,E/和rP與能帶彎曲直接相關;圖2,16中,由于VB和CB能帶的向上彎曲,導致了EⅡ與rP分別小于沒有能帶彎曲的情形。在金屬材料中,由于價帶與導帶之間的能隙為零,″和fP都趨近于材料的功函數(見后面功函數部分)。
分別為溶液相對于孤立分子、晶體相對于溶液發生的光譜紅移有機材料中的電子在不同能級之間的躍遷、不同分子之間的運動產生了各種物理過程,同時體現了材料的不同性質。孤立分子和有機晶體的能級圖中,包含了幾個比較重要的有機光電子概念,介紹如下。
最高占據能級和最低空置能級
最高占據能級(the Ⅱghe眈0ccupied mo1ecular o此ital,HOMo,定義為分子的填充軌道中能量最高的能級,與實驗值中的電子解離能相等trP);最低空置能級(the loWest unoccupied molecular orbital,LUMo)定義為分子的空置軌道中能量最低的能級,與實驗值中的電子親和能相等σ⑷。結合能帶理論,通常情況下,固體材料中的HOMO和LUMO分別相當于價帶←alence band,VB)頂端和導帶(conducting band,CB【底端。
電子親和能、解離能
物理上, ICL3222CBZ半導體表面的電子親和能(electron aⅢnity)〃定義為材料表面處于導帶底端的電子進人表面真空能級所需要的能量。類似地,解離能Conization potentia1)JP定義為材料表面處于價帶頂端的電子進人表面真空能級所需要的能量,如圖2,16所示。在半導體材料中,E/和rP與能帶彎曲直接相關;圖2,16中,由于VB和CB能帶的向上彎曲,導致了EⅡ與rP分別小于沒有能帶彎曲的情形。在金屬材料中,由于價帶與導帶之間的能隙為零,″和fP都趨近于材料的功函數(見后面功函數部分)。