有機材料屬于分子固體,ICL3222CVZ材料的能級結構與前面的半導體材料有所不同,但解離能和電子親和能的含義類似。對于一個孤立的有機分子,從中性的HOMO能級中移除一個電子所需要的能量即為解離能(ionizationpotential)rPg。將一個自由電子填充到一個中性分子的LUMo能級上所釋放的能量稱為電子親和能(electron amnity)Ez亻g。由單個分子到晶體時,由于分子間的相互作用,各種分子的能級會形成一定的帶寬,并使體系的解離能fJPc)和電子親和能發生顯著變化,如圖2.13所示。相同分子形成晶體時,這種相互作用的主要因素是固體中的正負離子的極化能rPh、Pe)對體系的穩定作用,因此,Pc=rPg+Ph;J“c=E4g^Pe,其中的Ph、Pe近似相等。值得注意的是,在無機半導體材料中,CB能級上電子和VB能級上空

    穴是高度離域的,電子向CB能級的移人或從VB能級的移出,基本上不會影響材料的電子結構。與無機半導體材料不同,有機材料LUMO能級上電子和HOMO能級上空穴是定域的。因此電子到LUMO能級的移入或從HOMo能級的移出,將形成電子極化子(e1ectron polaron)或空穴極化子oobpolaron),并可導致較大的電子和原子弛豫⑩.5~1.0eV),顯著地影響材料的電子結構,如圖2.17所示。另外,對于有機材料,電子親和能σ⑷可以由中性分子(圖2,17(a))的總電子能量與陰離子自由基(圖2,17(cD的總電子能量之差計算得到;類似地,解離能rrP)可由中性分子(圖2,17(a))的總電子能量與陽離子自由基(圖2,17(b))的總電子能量之差計算得到。