從上面幾節中,我們可以看到應力效應不僅可以用來提高NMOS器件性能,而且也KDZTR8.2B可以用來提高PMOS器件性能。除此之外,還有許多報道使用應力效應提升技術來更進一步地提高器件性能的方法。本節將介紹應力效應提升技術中的兩個:一個是通過去除虛擬柵電極的方法來提高嵌人式鍺化硅所產生的壓應力;另一個方法是通過部分去除側墻以使得雙極應力刻蝕阻擋層薄膜更加接近溝道,從而提高應力效果。

   在一個具有嵌入式鍺化硅的PMOS器件中,如果它的柵電極采用大馬士革結構方式制造的話,通過去除該虛擬柵電極的方法,溝道中的壓應力可以得到顯著提高[州。去除該虛擬柵電極后,它釋放了原來從柵極帶來的排斥力,從而使得嵌人式鍺化硅增強了橫向作用于溝道的壓應力。這個應力效果提升技術可以獲得更高的溝道應變和空穴遷移率,它的作用機理可以參考。

   通過去除虛擬柵電極的方法來提高溝道中壓應力的示意圖 在去除虛擬柵電極后,可以在柵電極處的凹槽部位填充多晶硅[3:]或金屬柵L39〗。不管其中的任何一個方法,去除虛擬柵電極后所提高的應力都在最后的器件中保留了下來。通過把大馬士革多晶硅柵結構的形成與嵌人式鍺化硅相結合的辦法,可以獲得如文獻E38]中所提到的好處。當使用嵌人式鍺化硅時,可以提高大馬士革結構的驅動電流。而沒有使用嵌入式鍺化硅的情況下,就沒有辦法提高驅動電流了。在高介電常數柵和金屬電極的整合結構中,有兩個互相競爭的方法:金屬柵極置前和金屬柵極置后。在柵極置后工藝中,包含了虛擬柵的去除。當我們把它和嵌入式鍺化硅工藝相結合,PMOS器件的性能在柵極置后的整合流程中,可以獲得一個主要的優勢就是:可以提高大馬士革多晶硅柵結構形成后帶來的應力效果。當我們決定柵極置前和柵極置后哪種工藝用來整合進人高介電常數柵和金屬電極的工藝流程中,這是一個主要的考慮因素。下面是一個把嵌人式鍺化硅工藝和金屬柵極置后工藝相結合的整合流程的簡單例子。